STP12NM50FP STMicroelectronics
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Technische Details STP12NM50FP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP12NM50FP nach Preis ab 1.37 EUR bis 14.30 EUR
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 7.5A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 7.5A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STP12NM50FP | Hersteller : ST |
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP12NM50FP Produktcode: 116311
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STP12NM50FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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