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STP12NM50FP

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics STP12NM50FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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STP12NM50FP STP12NM50FP Hersteller : STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP12NM50FP Hersteller : ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
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STP12NM50FP Hersteller : STM STx12NM50.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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L6598D
Hersteller: ST
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Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PMIC Solutions High Volt Reson Cont
Spannung, eing., V: 10…16.6V
I-ausg., A: 450mA
Fosc, kHz: 400
Temperaturbereich: -40…+125°C
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L6203 Motortreiber
Hersteller: ST
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Gehäuse: Multiwatt-11
Vc, V: 48
Vss, V: 48 V
Iout(peak), A: 4,0
T on/off, ns: 400/300 ns
Bemerkung: FULL-BRIDGE
-40…+150°C
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10+3.7 EUR
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