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STP13NK60Z

STP13NK60Z STMicroelectronics

cd0000281.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP13NK60Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B0014779A0D2&compId=stp13nk60z.pdf?ci_sign=23d0e16fb29e809c8b6b33176326312807cd8f2a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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29+2.49 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002816.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002816.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000281.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP13NK60Z STP13NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002816.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STP13NK60Z Hersteller : ST en.CD00002816.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP13NK60Z TSTP13NK60Z
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