STP13NM60N STMicroelectronics
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Technische Details STP13NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote STP13NM60N nach Preis ab 1.32 EUR bis 7.23 EUR
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ || |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP13NM60N | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP13NM60N Produktcode: 113764
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP13NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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