STP140N6F7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details STP140N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm.
Weitere Produktangebote STP140N6F7 nach Preis ab 1.79 EUR bis 5.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 158W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 2123 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140N6F7 Produktcode: 198556 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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