STP140N6F7
Produktcode: 198556
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Weitere Produktangebote STP140N6F7 nach Preis ab 1.37 EUR bis 5.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 158W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140N6F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP140N6F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 6524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP140N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 3.69 EUR |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.83 EUR |
| 103+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.44 EUR |
| 50+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 6524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| STP140N6F7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)