STP140NF55 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.45 EUR |
| 10+ | 3.51 EUR |
| 50+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
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Technische Details STP140NF55 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Weitere Produktangebote STP140NF55 nach Preis ab 3.8 EUR bis 9.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STP140NF55 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP140NF55 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 300W Gate charge: 142nC Polarisation: unipolar Technology: STripFET™ II Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| STP140NF55 | ST |
N-MOSFET 80A 55V 300W STP140NF55 TSTP140NF55 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP140NF55 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.95 EUR |
| 41+ | 5.66 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| STP140NF55 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP140NF55 |
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auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 9.04 EUR |