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STP14NM50N

STP14NM50N STMicroelectronics

en.CD00257735.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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Technische Details STP14NM50N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STP14NM50N STP14NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00257735.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
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STP14NM50N STP14NM50N Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D7051AACD0E745&compId=STF14NM50N.pdf?ci_sign=45f043498063ec94d28e7cf7e4e0f613a969ea56 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP14NM50N STP14NM50N Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS51746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP14NM50N STP14NM50N Hersteller : STMicroelectronics 818112945102311cd00257735.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP14NM50N Hersteller : ST en.CD00257735.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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STP14NM50N
Produktcode: 127161
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