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STP14NM50N

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Produktcode: 127161
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.cd00257735.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.62 EUR
2000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.cd00257735.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
10+6.41 EUR
50+5.02 EUR
100+4.57 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+5.05 EUR
100+4.58 EUR
500+3.86 EUR
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STP14NM50N STP14NM50N STMICROELECTRONICS SGSTS51746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.42 EUR
42+5.59 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics STF14NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP14NM50N ST en.CD00257735.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP14NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
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MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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42+5.59 EUR
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STP14NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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10+3.88 EUR
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