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STP160N3LL

STP160N3LL STMicroelectronics

735142838607541dm00091903.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 125000 Stücke:
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500+1.38 EUR
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Technische Details STP160N3LL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 112A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.17 EUR
48+1.81 EUR
52+1.65 EUR
66+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.92 EUR
100+1.8 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.86 EUR
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STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STP160N3LL STP160N3LL STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364394-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.47 EUR
107+2 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 87 Stücke:
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STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 112A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.8 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STP160N3LL
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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