Technische Details STP160N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP160N3LL nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 480A Technology: STripFET™ H6 Gate charge: 42nC |
auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP160N3LL | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP160N3LL | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 413+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 10000+ | 1.12 EUR |
| 100000+ | 0.92 EUR |
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 1.82 EUR |
| 54+ | 1.58 EUR |
| 58+ | 1.48 EUR |
| 67+ | 1.27 EUR |
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.86 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.8 EUR |
| 50+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP160N3LL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)