STP160N3LL STMicroelectronics
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Technische Details STP160N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ 120 A, STripFET H6 Power MOSFET |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP160N3LL | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
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STP160N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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