Technische Details STP16NB25 ST
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220, Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V, Drain-Strom Idd, A: 16 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1000/29, Montage: THT, ZCODE: 8541290010.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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STP16NB25 Produktcode: 23834
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ST |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 16 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1000/29 Montage: THT ZCODE: 8541290010 |
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1000/29
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1000/29
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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