Weitere Produktangebote STP18NM80 nach Preis ab 4.14 EUR bis 17.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2024 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2022 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18NM80 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP18NM80 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.35 EUR |
| 25+ | 6.62 EUR |
| 50+ | 5.53 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 250+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 4.14 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 8.51 EUR |
| 25+ | 6.7 EUR |
| 50+ | 5.58 EUR |
| 100+ | 5.07 EUR |
| 250+ | 4.81 EUR |
| 500+ | 4.16 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 8.57 EUR |
| 25+ | 6.89 EUR |
| 50+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 5.46 EUR |
| 250+ | 5.32 EUR |
| 500+ | 4.72 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 8.7 EUR |
| 25+ | 6.95 EUR |
| 50+ | 5.9 EUR |
| 100+ | 5.49 EUR |
| 250+ | 5.34 EUR |
| 500+ | 4.74 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.24 EUR |
| 50+ | 7.7 EUR |
| 100+ | 7.38 EUR |
| 500+ | 6.38 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.1 EUR |
| 10+ | 8.54 EUR |
| 100+ | 7.83 EUR |
| 500+ | 7.22 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.45 EUR |
| 25+ | 9.47 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |
| STP18NM80 |
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 11.79 EUR |




