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STP18NM80

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00226154.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00226154.pdf MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS34804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP18NM80 Hersteller : ST en.CD00226154.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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STP18NM80 STP18NM80 Hersteller : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM80 Hersteller : STM en.CD00226154.pdf MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Arbeitsspannung AC/DC, V: 115/150
S.var., V: 180(162-198)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 300@25
Imax.(8/20mcs): 2500
Leistung, Watt: 0,4
Kapazität, pF: 560
Größe: 10D
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Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x31mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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33uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR330M50B-Hitano)
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33uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR330M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 33uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 5765 St.
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Hersteller: Hitano
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Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3786 St.
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3675 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Kapazität: 3300uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x36mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
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