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STP19NF20

STP19NF20

STP19NF20.pdf
Produktcode: 4750
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 15
Rds(on), Ohm: 0.16
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP19NF20 ST

  • MOSFET N CH 200V 15A TO-220
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:7.5A
  • On State Resistance:150mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C

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STP19NF20 STP19NF20 Hersteller : STMicroelectronics 727425844565210cd00142659.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 637 Stücke:
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STP19NF20 STP19NF20 Hersteller : STMicroelectronics 727425844565210cd00142659.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP19NF20 STP19NF20 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00142659.pdf MOSFETs N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
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STP19NF20 STP19NF20 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00142659.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1730 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 15
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STP19NF20 STP19NF20 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6DF3DB004A745&compId=STB19NF20.pdf?ci_sign=4c18bb9b395d1f32d3f234a4baa51d6f20ae8937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 7 Stück
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
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description
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verfügbar: 1971 Stück
228 Stück - stock Köln
1743 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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MOR_080911.pdf
0,1 Ohm 5% 5W (MOR500SJTB-0R1-Hitano)
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Widerstande THT > Widerstande THT - 5W (außer Zement-)
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 5W
U Betriebs.,V: 1000V
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Typ: Metalloxid
verfügbar: 63 Stück
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet 24.02.2026
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
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erwartet: 1000 Stück
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