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STP19NF20

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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 200V 15A STP19NF20 TSTP19NF20
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Technische Details STP19NF20 ST

Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics 727425844565210cd00142659.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics 727425844565210cd00142659.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics en.CD00142659.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics en.CD00142659.pdf description MOSFETs N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
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2000+1.07 EUR
4000+1.02 EUR
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STP19NF20 STP19NF20 STMicroelectronics STB19NF20.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Technology: MESH OVERLAY™
Drain current: 9.45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
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Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
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STP19NF20
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Technology: MESH OVERLAY™
Drain current: 9.45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
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