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STP20N90K5

STP20N90K5 STMicroelectronics

stp20n90k5.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP20N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STP20N90K5 STP20N90K5 Hersteller : STMicroelectronics stp20n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP20N90K5 STP20N90K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00281600.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP20N90K5 STP20N90K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00281600.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP20N90K5 STP20N90K5 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D758B4501B80C7&compId=STP20N90K5.pdf?ci_sign=7e907c50ec139a62894f270bc874a9b32695b71d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 40nC
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