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STP210N75F6

STP210N75F6 STMicroelectronics

155dm00023183.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP210N75F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V.

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STP210N75F6 STP210N75F6 Hersteller : STMicroelectronics STP210N75F6.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
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STP210N75F6 STP210N75F6 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_dm00023183-1206387.pdf MOSFET N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI
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