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STP23NM50N

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Produktcode: 113413
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1330/45
JHGF: THT
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STP23NM50N STP23NM50N Hersteller : STMicroelectronics 812299290764112cd00259533.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP23NM50N STP23NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00259533.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
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STP23NM50N Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFFBBFC40D2&compId=stp23nm50n.pdf?ci_sign=ef68823f48040791a15caee3ea640a371cc752c4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP23NM50N STP23NM50N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00259533.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
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STP23NM50N Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFFFBBFC40D2&compId=stp23nm50n.pdf?ci_sign=ef68823f48040791a15caee3ea640a371cc752c4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1245 Stück
25 Stück - stock Köln
1220 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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B57861S0103F040
Produktcode: 44726
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b57861s0103f040.pdf
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор, 10 KOhm, 3988K 1%, B = 0.3%, Pmax. = 60mW
Nennwert: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Тип: NTC
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erwartet: 600 Stück
600 Stück - erwartet 19.07.2025
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SRD-05VDC-SL-C
Produktcode: 108598
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20084141716341001relayx1.pdf
SRD-05VDC-SL-C
+1
Hersteller: Songle
Relais
Relaistyp: Реле середньої потужності (5-20А)
Beschreibung: Тип контактів: 1C. U котушки: 5В. I комутації. макс.10А
Abmessungen: 19x15,5x15,3 mm
Spulenspannung: 5 VDC
Strom max: 10 A
Kontaktkonfiguration: SPDT(1C)
Schaltspannung: 250 VAC. 28 VDC
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2000 Stück - erwartet 22.09.2025
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Фильтр ферритовый на кабель ID=7 OD=16,5 L=30, NiZn (F9 SCRC 70B, Careful)
Produktcode: 133246
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133246_F9 SCRC 70B.pdf
Фильтр ферритовый на кабель ID=7 OD=16,5 L=30, NiZn (F9 SCRC 70B, Careful)
Hersteller: Careful
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Фільтр на кабель
Serie: SCRC
Typ: Фільтр на кабель
Größe, Typ: D16,5/L30
Beschreibung: Внутрішній розмір: d = 7мм
Material: NiZn
auf Bestellung 464 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 11.09.2025
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MPX(class X2) 100nF 310VAC K(+/-10%), P=10mm, 5x11x13mm, L=22mm (X2104K31L10(C2-1) -Stcapasitor) (конденсатор пленочный)
Produktcode: 140047
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MPX(class X2) 100nF 310VAC K(+/-10%), P=10mm, 5x11x13mm, L=22mm (X2104K31L10(C2-1) -Stcapasitor) (конденсатор пленочный)
Hersteller: Stcapasitor
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 100 nF
Nennspannung, V: 310 VAC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: 10 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Поліпропілен X2
Abschwächungskonstante: 5x11x13 mm
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