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STP240N10F7

STP240N10F7 STMicroelectronics

en.DM00070204.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Technische Details STP240N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 2850 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP240N10F7 STP240N10F7 STMicroelectronics en.DM00070204.pdf MOSFETs N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+5.37 EUR
100+4.49 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.58 EUR
2000+3.45 EUR
5000+3.14 EUR
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STP240N10F7 STP240N10F7 STMicroelectronics en.DM00070204.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+6.95 EUR
50+5.44 EUR
100+4.95 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP240N10F7 STP240N10F7 STMICROELECTRONICS 2371851.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 2850 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.57 EUR
27+8.89 EUR
100+6.56 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
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Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 2850 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
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