STP240N10F7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 9778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 6.56 EUR |
| 50+ | 6.5 EUR |
| 100+ | 5.57 EUR |
| 500+ | 4.95 EUR |
| 1000+ | 4.24 EUR |
| 2000+ | 3.99 EUR |
| 5000+ | 3.83 EUR |
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Technische Details STP240N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STP240N10F7 nach Preis ab 4.73 EUR bis 6.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP240N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
auf Bestellung 2541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP240N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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