STP24N60DM2 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 35+ | 4.23 EUR |
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| 48+ | 2.91 EUR |
| 50+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 2.47 EUR |
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Technische Details STP24N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP24N60DM2 nach Preis ab 2.46 EUR bis 5.70 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP24N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 11A; Idm: 72A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ DM2 |
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