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STP24NM60N

STP24NM60N STMicroelectronics

700553018157610cd00286763.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Technische Details STP24NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics en.cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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93+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics en.cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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93+1.87 EUR
97+1.76 EUR
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1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics stp24nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
auf Bestellung 148 Stücke:
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18+4.97 EUR
21+4.13 EUR
24+3.59 EUR
30+2.93 EUR
50+2.53 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics en.CD00286763.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
auf Bestellung 621 Stücke:
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1+8.1 EUR
10+4.24 EUR
100+3.71 EUR
500+3.17 EUR
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STP24NM60N STP24NM60N STMicroelectronics en.CD00286763.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 369 Stücke:
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3+8.4 EUR
50+4.3 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP24NM60N STP24NM60N STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
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25+10.17 EUR
56+4.15 EUR
100+3.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
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STP24NM60N
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
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25+10.17 EUR
56+4.15 EUR
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