STP24NM60N STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.78 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
101 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP24NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm.
Weitere Produktangebote STP24NM60N nach Preis ab 1.4 EUR bis 10.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP24NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP24NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP24NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 68A Gate charge: 44nC |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.13 EUR |
| 93+ | 1.88 EUR |
| 97+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.13 EUR |
| 93+ | 1.92 EUR |
| 97+ | 1.8 EUR |
| 101+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.19 EUR |
| 10+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| 5000+ | 3.01 EUR |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.19 EUR |
| 10+ | 5.4 EUR |
| 50+ | 4.2 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.07 EUR |
| 48+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| STP24NM60N |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)