Technische Details STP25NM50N ST
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole.
Weitere Produktangebote STP25NM50N nach Preis ab 5.38 EUR bis 6.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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STP25NM50N Produktcode: 40855
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Lieblingsprodukt
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ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 V Drain-Strom Idd, A: 21,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,150 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2280/ ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
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STP25NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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STP25NM50N | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP25NM50N Produktcode: 40855
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 V
Drain-Strom Idd, A: 21,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,150 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2280/
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 V
Drain-Strom Idd, A: 21,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,150 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2280/
ZCODE: 8541290010
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| 1+ | 6.52 EUR |
| 10+ | 5.38 EUR |
| STP25NM50N |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| STP25NM50N |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
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