Weitere Produktangebote STP26NM60N nach Preis ab 4.02 EUR bis 16.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power |
auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 750 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| STP26NM60N | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60NAnzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 750+ | 4.02 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 8.47 EUR |
| 14+ | 6.52 EUR |
| 25+ | 5.74 EUR |
| 50+ | 5.18 EUR |
| 100+ | 4.56 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.57 EUR |
| 25+ | 6.79 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.57 EUR |
| 25+ | 6.94 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.58 EUR |
| 25+ | 7.01 EUR |
| 100+ | 5.71 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.6 EUR |
| 25+ | 6.87 EUR |
| 100+ | 5.51 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.52 EUR |
| 50+ | 7.84 EUR |
| 100+ | 7.2 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.67 EUR |
| 10+ | 11.39 EUR |
| 100+ | 9.38 EUR |
| 500+ | 8.35 EUR |
| 1000+ | 7.83 EUR |
| STP26NM60N |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP26NM60N |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP26NM60N |
![]() |
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 8.54 EUR |





