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STP26NM60N

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Produktcode: 60496
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
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1+16.59 EUR
10+11.33 EUR
100+9.34 EUR
500+8.32 EUR
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STP26NM60N STP26NM60N STMICROELECTRONICS en.CD00232934.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 891 Stücke:
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13+19.61 EUR
20+11.6 EUR
100+9 EUR
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STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics stp26nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP26NM60N ST en.CD00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
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Hersteller: STMicroelectronics
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MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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