STP2N80K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ K5
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 1.12 EUR |
| 84+ | 1.01 EUR |
| 96+ | 0.89 EUR |
| 115+ | 0.75 EUR |
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Technische Details STP2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP2N80K5 nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STP2N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP2N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.75 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 2000+ | 0.83 EUR |
| 10000+ | 0.74 EUR |
| STP2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.25 EUR |
| 50+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| STP2N80K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)