STP2N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STP2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 1.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Gate charge: 5nC Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ K5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 1.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Gate charge: 5nC Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ K5 |
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