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STP2NK90Z

STP2NK90Z STMicroelectronics

STD2NK90Z.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+3.27 EUR
45+1.9 EUR
59+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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Technische Details STP2NK90Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP2NK90Z STP2NK90Z STMicroelectronics en.CD00043981.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP2NK90Z STP2NK90Z STMicroelectronics en.CD00043981.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.56 EUR
100+2.26 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.61 EUR
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STP2NK90Z STP2NK90Z STMICROELECTRONICS en.CD00043981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP2NK90Z ST en.CD00043981.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A STP2NK90Z TSTP2NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP2NK90Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
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1+5.11 EUR
10+2.56 EUR
100+2.26 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.73 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP2NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A STP2NK90Z TSTP2NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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