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STP30NE06


Hersteller: ST
TO-220
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Technische Details STP30NE06 ST

Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220, Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V, Drain-Strom Idd, A: 30 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/35, Montage: THT.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP30NE06 STP30NE06
Produktcode: 77947
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ST mxe223yyssw.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/35
Montage: THT
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1450/35
Montage: THT
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