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STP30NF10

STP30NF10

en.CD00002440.pdf
Produktcode: 73219
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/40
JHGF: THT
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STP30NF10 STP30NF10 Hersteller : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP30NF10 STP30NF10 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
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STP30NF10 STP30NF10 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP30NF10 Hersteller : ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
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STP30NF10 STP30NF10 Hersteller : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP30NF10 STP30NF10 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
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Hersteller: Panasonic
Akkus > NiMH-, NiCd- und NiZn-Batterien
Технологія: NiMH
Типорозмір / габарити: AA
Ємність: 2000 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 1,2 V
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description en.CD00000444.pdf %5BLumimax%5DL7812CV.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
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ST13007A (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26412
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ST13007.pdf
ST13007A (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
verfügbar: 396 St.
15 St. - stock Köln
381 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1967 St.
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1863 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Produktcode: 2947
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ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41mm
Lebensdauer: 18х41mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 131 St.:
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