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STP30NF10

STP30NF10

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Produktcode: 73219
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 35 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1180/40
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 536 Stücke:
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108+1.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.21 EUR
68+2.49 EUR
100+2.02 EUR
500+1.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.22 EUR
68+2.55 EUR
100+2.09 EUR
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1000+1.52 EUR
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1756 Stücke:
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4+5.4 EUR
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50+2.67 EUR
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500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP30NF10 STP30NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
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100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics STP30NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 386 Stücke:
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STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.83 EUR
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STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+1.83 EUR
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STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 536 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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99+1.7 EUR
108+1.51 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.21 EUR
68+2.49 EUR
100+2.02 EUR
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1000+1.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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34+5.22 EUR
68+2.55 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.49 EUR
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STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
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50+2.67 EUR
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STP30NF10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.93 EUR
79+2.95 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 STP30NF10.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Hersteller: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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NiMH 2000mAh, 1,2V, AA Panasonic, Nickel-Metallhydrid-Akku BK-3MCDE ENELOOP
Produktcode: 197073
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NiMH 2000mAh, 1,2V, AA Panasonic, Nickel-Metallhydrid-Akku BK-3MCDE ENELOOPNiMH 2000mAh, 1,2V, AA Panasonic, Nickel-Metallhydrid-Akku BK-3MCDE ENELOOP
Hersteller: Panasonic
Akkus > NiMH-, NiCd- und NiZn-Batterien
Technologie: NiMH
Baugröße / Abmessungen: AA
Kapazität, mAh: 2000 мА·год
Form: zylindrisch
Spannung, V: 1,2 В
auf Bestellung: 12 St.
  • 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L7812CV
Produktcode: 29158
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description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 2 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
auf Bestellung: 309 St.
  • 309 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ST13007A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26412
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ST13007.pdf
ST13007A (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 225 St.
  • 225 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.25 EUR
10+1.12 EUR
100+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
  • 104 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1188 St.
  • 1188 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2947
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ECR_081225.pdf
1000uF 100V ECR 18x41mm (ECR102M2AB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 100 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 18x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+1.5 EUR
10+1.34 EUR
100+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
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