Technische Details STP310N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 315W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Weitere Produktangebote STP310N10F7 nach Preis ab 3.49 EUR bis 17.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 315W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII |
auf Bestellung 5138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP310N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 315W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP310N10F7 | ST |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 3.49 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.68 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.74 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.51 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
auf Bestellung 5138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.82 EUR |
| 10+ | 5.11 EUR |
| 100+ | 4.66 EUR |
| 500+ | 4.38 EUR |
| 1000+ | 3.92 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.01 EUR |
| 50+ | 5.2 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 315W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.29 EUR |
| 21+ | 11.33 EUR |
| 100+ | 7.66 EUR |
| STP310N10F7 |
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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.96 EUR |