STP310N10F7 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.22 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.91 EUR |
| 500+ | 3.41 EUR |
| 1000+ | 3.29 EUR |
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Technische Details STP310N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 315W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP310N10F7 nach Preis ab 4.02 EUR bis 14.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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STP310N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP310N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 315W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP310N10F7 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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