STP36N55M5 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 29+ | 5.11 EUR |
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Technische Details STP36N55M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 33A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STP36N55M5 nach Preis ab 5.11 EUR bis 9.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP36N55M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 33A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 100 V |
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