STP3HNK90Z
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Technische Details STP3HNK90Z
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote STP3HNK90Z
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| STP3HNK90Z | STM |
N-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори |
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STP3HNK90Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STP3HNK90Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp |
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| STP3HNK90Z |
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Hersteller: STM
N-кан., 900V, 3.5 Ом, 3 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
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| STP3HNK90Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp
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