STP3NK50Z STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.81 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details STP3NK50Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP3NK50Z nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STP3NK50Z | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 2827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP3NK50Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP3NK50Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 2.31 EUR |
| 50+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| STP3NK50Z |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)