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STP3NK80Z

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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
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Technische Details STP3NK80Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5814 Stücke:
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146+1.19 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics 1846634588064042cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.73 EUR
135+1.26 EUR
145+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 873 Stücke:
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5+4.5 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
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10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.48 EUR
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STP3NK80Z STP3NK80Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 619 Stücke:
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STP3NK80Z 1846634588064042cd000.pdf
STP3NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220
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Vgs (Max): ±30V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
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