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STP3NK80Z STMicroelectronics

Name: STP3NK80Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 29742376-5
Price: 145.7 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Technische Details STP3NK80Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STP3NK80Z

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Hersteller : STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3928E2924A469&compId=STF3NK80Z.pdf?ci_sign=be42449d528134052275d3e390860d88d46a192c

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

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STP3NK80Z

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

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50+	1.34 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.23 EUR

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Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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STP3NK80Z

Hersteller : ST

Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
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STP3NK80Z
Produktcode: 53546

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Hersteller : ST

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 04.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19

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