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STP3NK90ZFP

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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
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Technische Details STP3NK90ZFP ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8295 Stücke:
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STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics STP3NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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44+1.94 EUR
58+1.49 EUR
67+1.29 EUR
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STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.cd00003170.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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99+1.71 EUR
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STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMicroelectronics en.CD00003170.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1030 Stücke:
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1+4.13 EUR
10+2.62 EUR
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500+1.44 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.2 EUR
6000+1.15 EUR
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STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP STMICROELECTRONICS 2309894.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
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60+4.22 EUR
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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