STP45N40DM2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP45N40DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm.
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STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
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STP45N40DM2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm |
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| STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 400V; 24A; Idm: 152A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 24A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP45N40DM2AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 400V; 24A; Idm: 152A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 24A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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