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STP4N150 STMicroelectronics

Name: STP4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 13001111-5
Price: 3500 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Technische Details STP4N150 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STP4N150 nach Preis ab 2.67 EUR bis 20.35 EUR

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STP4N150

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Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP4N150

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

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500+	4.05 EUR
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STP4N150

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MOSFETs PowerMESH MOSFET

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10+	9.82 EUR
25+	5.47 EUR
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STP4N150

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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10+	7.26 EUR

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Hersteller : STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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STP4N150

Hersteller : ST

N-MOSFET 4A 1500V 160W 7Ω STP40NF10 TSTP4N150
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STP4N150
Produktcode: 104403

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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