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STP4N150

STP4N150 STMicroelectronics

stfw4n150.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP4N150 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STP4N150 STP4N150 Hersteller : STMicroelectronics stfw4n150.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP4N150 STP4N150 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00050744.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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2+8.94 EUR
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STP4N150 STP4N150 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS34737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP4N150 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00050744.pdf STP4N150 THT N channel transistors
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STP4N150 Hersteller : ST en.CD00050744.pdf N-MOSFET 4A 1500V 160W 7Ω STP40NF10 TSTP4N150
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STP4N150 STP4N150
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