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STP4NK80Z

STP4NK80Z STMicroelectronics

stp4nk80z.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP4NK80Z STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V.

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STP4NK80Z STP4NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
63+1.14 EUR
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200+0.81 EUR
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STP4NK80Z STP4NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STP4NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP4NK80Z STP4NK80Z Hersteller : STMicroelectronics ST%28D%2CP%294NK80Z%28-1%2CFP%29.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
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STP4NK80Z STP4NK80Z Hersteller : STMicroelectronics ST%28D%2CP%294NK80Z%28-1%2CFP%29.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
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STP4NK80Z Hersteller : ST ST%28D%2CP%294NK80Z%28-1%2CFP%29.pdf N-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STP4NK80Z STP4NK80Z
Produktcode: 2322
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Hersteller : ST STP4NK80Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.09.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 575/22.5
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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