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| 20+ | 1.78 EUR |
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Technische Details STP4NK80Z ST
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STP4NK80Z nach Preis ab 0.78 EUR bis 4.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH |
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STP4NK80Z Produktcode: 2322
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 800 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.09.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 575/22.5 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
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STP4NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP4NK80Z | Hersteller : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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