STP55NF06FP STMicroelectronics
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Technische Details STP55NF06FP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Weitere Produktangebote STP55NF06FP nach Preis ab 0.48 EUR bis 3.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
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| STP55NF06FP | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C; STP55NF06FP TSTP55NF06FP Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP55NF06FP Produktcode: 121438 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP55NF06FP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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