STP5N95K5 STMicroelectronics
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| 13+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.48 EUR |
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| 1000+ | 2.48 EUR |
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Technische Details STP5N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Weitere Produktangebote STP5N95K5 nach Preis ab 2.73 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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STP5N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V |
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STP5N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP5N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 3.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP5N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP5N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2.2A; Idm: 14A Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: MDmesh™ K5 Power dissipation: 70W Pulsed drain current: 14A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 950V Drain current: 2.2A On-state resistance: 2.5Ω Gate charge: 12.5nC Case: TO220-3 |
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| STP5N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 2.2A; Idm: 14A Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: MDmesh™ K5 Power dissipation: 70W Pulsed drain current: 14A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 950V Drain current: 2.2A On-state resistance: 2.5Ω Gate charge: 12.5nC Case: TO220-3 |
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