STP5NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STP5NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP5NK100Z nach Preis ab 1.83 EUR bis 7.23 EUR
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD Version: ESD Technology: SuperMesh™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.7Ω Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V |
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STP5NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| STP5NK100Z | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP5NK100Z TSTP5NK100Z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP5NK100Z Produktcode: 119074
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 1000 V Idd,A: 3,5 A Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1154/42 JHGF: THT |
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