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STP5NK100Z

STP5NK100Z STMicroelectronics

29897003353951cd00043982.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP5NK100Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STP5NK100Z STP5NK100Z Hersteller : STMicroelectronics 29897003353951cd00043982.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP5NK100Z STP5NK100Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00043982.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
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STP5NK100Z STP5NK100Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00043982.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V
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STP5NK100Z STP5NK100Z Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00043982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP5NK100Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00043982.pdf STP5NK100Z THT N channel transistors
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STP5NK100Z Hersteller : ST en.CD00043982.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP5NK100Z TSTP5NK100Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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STP5NK100Z STP5NK100Z
Produktcode: 119074
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Hersteller : ST stp5nk100z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1154/42
JHGF: THT
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