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STP5NK80Z

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Produktcode: 49841
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,3 A
Rds(on), Ohm: 1,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32,4
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.71 EUR
35+2.5 EUR
41+2.09 EUR
45+1.93 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 253 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.CD00003038.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+2.92 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.92 EUR
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STP5NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS18264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - MOSFET, N-KANAL, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1222 Stücke:
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STP5NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
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35+2.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
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1+5.84 EUR
10+2.92 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - MOSFET, N-KANAL, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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