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STP5NK80Z

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Hersteller: ST
STP5NK80Z N-MOSEFT 4,3A 800V 30W TSTP5NK80Z
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Technische Details STP5NK80Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics en.cd00003038.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS18264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
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STP5NK80Z STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
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