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STP5NK80ZFP

STP5NK80ZFP

STP5NK80ZFP.pdf
Produktcode: 1026
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 800
Idd,A: 04.03.2015
Rds(on), Ohm: 02.04.2015
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 41 Stück:
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Technische Details STP5NK80ZFP ST

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:4.3A
  • On State Resistance:2.4ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2.4ohm
  • Power Dissipation Pd:30W
  • Pulse Current Idm:17.2A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003038.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA40F2B23CF2469&compId=STP5NK80ZFP.pdf?ci_sign=a17747c30cc9150d15e209459c0d934cee4cda33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
27+2.75 EUR
34+2.13 EUR
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3000+0.89 EUR
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA40F2B23CF2469&compId=STP5NK80ZFP.pdf?ci_sign=a17747c30cc9150d15e209459c0d934cee4cda33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
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Power dissipation: 30W
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003038.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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100+2.14 EUR
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP5NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.3 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STP5NK80ZFP STP5NK80ZFP Hersteller : STMicroelectronics cd0000303.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER475K2GB
ZCODE: 8532 29 00 00
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2 Ohm 5% 2W (MFR200SSJTB-2R0-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 2 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 350V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,7mm
Typ: Metall-folien miniatur
-55...+155°C
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10+0.027 EUR
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 38606 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
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