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STP60NF06

STP60NF06

STP60NF06.pdf
Produktcode: 2993
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP60NF06 ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:60A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Device Marking:STP60NF06
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.016ohm
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:240A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:60V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP60NF06L STP60NF06L
Produktcode: 105102
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Hersteller : ST stp60nf06l.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AE4B970BEA8E745&compId=STP60NF06.pdf?ci_sign=f4e885580f6d4c2f72bc63bda61d3e716c93a052 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002318.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 Hersteller : ST en.CD00002318.pdf N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002318.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
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Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 1046 Stück:
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STP55NF06
Produktcode: 1982
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description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 176 Stück:
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100+0.43 EUR
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
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erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 19.07.2025
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 4417 Stück
65 Stück - stock Köln
4352 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 11250 Stück
10000 Stück - erwartet 19.07.2025
Anzahl Preis
1+0.069 EUR
10+0.049 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5708 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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