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STP60NF06

STP60NF06

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Produktcode: 2993
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 60 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/49
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 142 St.
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Technische Details STP60NF06 ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:60A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Device Marking:STP60NF06
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.016ohm
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:240A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:60V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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213+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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207+0.83 EUR
208+0.82 EUR
214+0.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.84 EUR
51+1.67 EUR
65+1.32 EUR
100+1.2 EUR
200+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
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1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
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1000+1.34 EUR
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STP60NF06 STP60NF06 STMICROELECTRONICS SGSTS31362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 5196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
87+2.69 EUR
112+1.92 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06 JSMSEMI en.CD00002318.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
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STP60NF06
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP60NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 60A
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Servomotor mit Kunststoff Getriebe MG90S/180Grad
Produktcode: 211938
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Servomotor mit Kunststoff Getriebe MG90S/180Grad
Modulare Elemente > Motoren
Beschreibung: Servo mit Kunststoffgetriebe (nur Abtriebswelle aus Metall). Drehwinkel: 180 °. Drehmoment: ~ 1.8kg / cm (4.8V). Größe: 22.8x12.2x28.5mm. Gewicht 10.8g.
Typ: Servo
Versorgungsspannung, V: 4,8...6 В
Abmessungen: 22,8x12,2x28,5 мм
auf Bestellung: 1597 St.
  • 1597 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4093BP
Produktcode: 23677
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description 913_HEF4093.pdf
HEF4093BP
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Vier 2-Eingang NAND-Gatter
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 3...15 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: NAND-Gatter
auf Bestellung: 188 St.
  • 188 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.3 EUR
10+1.15 EUR
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2SA1015GR
Produktcode: 25436
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2SA1015(L).pdf
2SA1015GR
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,15 A
Stromverstärkung h21, max: 200...400
auf Bestellung: 147 St.
  • 147 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1013-Y
Produktcode: 30631
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2SA1013.pdf
2SA1013-Y
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
Grenzfrequenz fT, MHz: 50 MHz
Spannung Uce, V: 160 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 1 A
Stromverstärkung h21, max: 200
auf Bestellung: 248 St.
  • 248 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC2383 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 35535
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2SC2383.pdf
2SC2383 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 500 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 18 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 38 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,75 A
Stromverstärkung h21: 200
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 137 St.
  • 137 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.095 EUR
100+0.067 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH