STP60NF10 STMicroelectronics
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Technische Details STP60NF10 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STP60NF10 nach Preis ab 0.94 EUR bis 5.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 66A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 66A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP60NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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