stp62ns04z
Hersteller: STTrans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 STP62NS04Z TSTP62NS04Z
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Technische Details stp62ns04z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STP62NS04Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 33 V, 62 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 33V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
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STP62NS04Z Produktcode: 51641
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP62NS04Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP62NS04Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 33V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP62NS04Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP62NS04Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 33 V, 62 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 33V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
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stp62ns04z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): Clamped Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V |
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stp62ns04z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch Clamped 62 Amp |
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