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STP6N60M2

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Produktcode: 94670
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP6N60M2 STP6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.65 EUR
50+1.7 EUR
61+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STP6N60M2 STP6N60M2 STMICROELECTRONICS 2371889.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP6N60M2 STF6N60M2.pdf
STP6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
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33+2.65 EUR
50+1.7 EUR
61+1.39 EUR
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STP6N60M2 2371889.pdf
STP6N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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