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STP6NK90Z

STP6NK90Z

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Produktcode: 2004
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 900
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/46.5
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar 4 St.:
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Technische Details STP6NK90Z ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:900V
  • Cont Current Id:5.8A
  • On State Resistance:2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:900V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Pulse Current Idm:23.2A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:900V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003175.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics STP6NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.65A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Mindestbestellmenge: 2
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00003175.pdf N-кан., 900V, 1.56 Ом, 5.8 A,TO220 (Zener-Protected SuperMESH)
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP6NK90Z STP6NK90Z Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003175.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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S.var., V: 430(387-473)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 710@25
Imax.(8/20mcs): 2500
Leistung, Watt: 0,4
Kapazität, pF: 230
Größe: 10D
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Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
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verfügbar: 14558 St.
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13368 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.0056 EUR
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