Weitere Produktangebote STP7N60M2 nach Preis ab 0.94 EUR bis 4.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STP7N60M2 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm |
auf Bestellung 1612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A Gate charge: 8.8nC |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP7N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 2.19 EUR |
| 50+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| STP7N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| 2000+ | 0.96 EUR |
| 10000+ | 0.94 EUR |
| STP7N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 4.5 EUR |
| 87+ | 2.69 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| STP7N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 8.8nC
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)