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Technische Details STP7NK80Z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.
Weitere Produktangebote STP7NK80Z nach Preis ab 1.88 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm |
auf Bestellung 1051 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| 1000+ | 2.15 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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|---|---|
| 1000+ | 2.15 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.8 EUR |
| 63+ | 2.74 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.06 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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|---|---|
| 30+ | 5.93 EUR |
| 62+ | 2.58 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.31 EUR |
| 10+ | 4.8 EUR |
| 50+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.33 EUR |
| 10+ | 3.75 EUR |
| 100+ | 3.39 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.56 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.29 EUR |
| 56+ | 4.2 EUR |
| 100+ | 3.4 EUR |
| 500+ | 2.84 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)