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STP7NK80Z

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Hersteller: ST
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
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Technische Details STP7NK80Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+2.68 EUR
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2500+2.05 EUR
5000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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29+6.03 EUR
61+2.77 EUR
100+2.53 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.82 EUR
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STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
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1+6.89 EUR
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1000+2.64 EUR
2000+2.39 EUR
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STP7NK80Z STP7NK80Z STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 866 Stücke:
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3+7.27 EUR
50+3.69 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
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STP7NK80Z STP7NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS36803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 1053 Stücke:
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33+7.75 EUR
65+3.59 EUR
100+2.87 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STP7NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
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STP7NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
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