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STP7NK80Z

STP7NK80Z

en.CD00003046.pdf
Produktcode: 44313
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA46C0838BD6469&compId=STP7NK80Z.pdf?ci_sign=da40a555eaa922665ad7ed46c914da1f4fc31732 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA46C0838BD6469&compId=STP7NK80Z.pdf?ci_sign=da40a555eaa922665ad7ed46c914da1f4fc31732 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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69+2.04 EUR
100+1.94 EUR
500+1.79 EUR
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2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics stb7nk80z-1850454.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
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10+3.91 EUR
25+2.52 EUR
100+2.41 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.22 EUR
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
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3+6.41 EUR
50+3.24 EUR
100+2.94 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP7NK80Z STP7NK80Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STP7NK80Z Hersteller : ST en.CD00003046.pdf N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
10+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP8NK80ZFP
Produktcode: 115145
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en.CD00003264.pdf
STP8NK80ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 800 V
Idd,A: 6,2 A
JHGF: THT
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 14640
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X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (0805B471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 46 Stück:
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erwartet 4000 Stück:
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.012 EUR
1000+0.0099 EUR
10000+0.0086 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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330 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-330R-Hitano)
Produktcode: 33141
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MOR_080911.pdf
330 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-330R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 330 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 2036 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.035 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
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22uF 50V EMR 6,3x7mm (EMR220M50B-Hitano)
Produktcode: 50432
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EMR_080514.pdf
22uF 50V EMR 6,3x7mm (EMR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x7mm
Lebensdauer: 6,3х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 7771 Stück:
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Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.017 EUR
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4,7 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-4R7)
Produktcode: 117418
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rc_series_20150429.pdf
4,7 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-4R7)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,75 W
U Betriebs.,V: 200 V
Größe Typ: 2010
auf Bestellung 3221 Stück:
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