STP7NK80Z
Produktcode: 44313
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
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Weitere Produktangebote STP7NK80Z nach Preis ab 1.73 EUR bis 7.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP7NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STP7NK80Z | ST |
N-MOSFET 5,2A 22V 125W STP7NK80Z TSTP7NK80ZAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.2 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.2 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 2.9 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| 2500+ | 2.07 EUR |
| 5000+ | 2 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 4.39 EUR |
| 39+ | 2.23 EUR |
| 50+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.09 EUR |
| 61+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| 2500+ | 1.83 EUR |
| 5000+ | 1.73 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.5 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.81 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.27 EUR |
| 50+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 500+ | 2.73 EUR |
| STP7NK80Z |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP7NK80Z |
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auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.7 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| LL4148 Produktcode: 2413
4
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
auf Bestellung 59399 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| STP10NK60Z Produktcode: 14727
3
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.67 EUR |
| 100uF 25V ESX 6,3x11mm (ESX101M25B-Hitano) Produktcode: 31676
7
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ESX-niedrige Impedanz lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
8532 22 00 00
auf Bestellung 11205 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 730 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.095 EUR |
| 10+ | 0.071 EUR |
| 100+ | 0.04 EUR |
| 1000+ | 0.037 EUR |
| LNK304GN Produktcode: 36956
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SMD-8
Eigenschaften: Імпульсний регулятор напруги
Spannung, eing., V: 85...265 V
I-ausg., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SMD-8
Eigenschaften: Імпульсний регулятор напруги
Spannung, eing., V: 85...265 V
I-ausg., A: 170 mA
Fosc, kHz: 66 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung 260 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 St.:
| 10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano) Produktcode: 105927
4
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige impedance
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige impedance
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
auf Bestellung 40 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10015 St.:
10000 St. - erwartet 29.10.2026| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.31 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |










