STP80N240K6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Technische Details STP80N240K6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP80N240K6 nach Preis ab 5.66 EUR bis 9.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP80N240K6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STP80N240K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V |
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| STP80N240K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
STP80N240K6 |
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STP80N240K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| STP80N240K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| STP80N240K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 35A; 140W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.9nC |
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