STP80NF12 STMicroelectronics
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Technische Details STP80NF12 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STP80NF12 nach Preis ab 1.76 EUR bis 6.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP80NF12 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
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| STP80NF12 | Hersteller : ST |
N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP80NF12 Produktcode: 41692 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO220-3 Uds,V: 120 V Idd,A: 80 A Rds(on), Ohm: 0.018 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4300/ Bem.: Power MOSFET JHGF: THT 8542 39 90 00 |
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| STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP80NF12 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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