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STP80NF12

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Produktcode: 41692
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Hersteller:
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 120 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4300/
Bemerkung: Leistungs-MOSFET
Montage: THT
8542 39 90 00
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.73 EUR
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4598 Stücke:
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104+1.75 EUR
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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37+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics 1018073286818642cd00003180.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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37+4.88 EUR
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics en.CD00003180.pdf MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
5000+1.74 EUR
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics en.CD00003180.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.56 EUR
50+2.71 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP80NF12 STP80NF12 STMICROELECTRONICS en.CD00003180.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
65+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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STP80NF12 STP80NF12 STMicroelectronics STP80NF12.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP80NF12 1018073286818642cd00003180.pdf
STP80NF12
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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104+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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STP80NF12
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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104+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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STP80NF12
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Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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37+4.88 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
auf Bestellung 316 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+5.51 EUR
10+3.56 EUR
50+2.71 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP80NF12
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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