
STP80NF55-06 STMicroelectronics
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Technische Details STP80NF55-06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.
Weitere Produktangebote STP80NF55-06 nach Preis ab 0.73 EUR bis 6.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP80NF5506 | Hersteller : ST |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP80NF55-06 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II |
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