STP80NF55-08AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Technische Details STP80NF55-08AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STP80NF55-08AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STP80NF55-08AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET |
auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80NF55-08AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP80NF55-08AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP80NF55-08AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |