STP8NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STP8NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP8NK100Z nach Preis ab 1.22 EUR bis 9.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5 |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| STP8NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
STP8NK100Z THT N channel transistors |
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STP8NK100Z Produktcode: 148918
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP8NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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