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STP8NK100Z

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Produktcode: 148918
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
auf Bestellung 809 Stücke:
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10+5.46 EUR
100+5.15 EUR
500+4.4 EUR
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STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics cd0007303.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1392 Stücke:
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21+8.29 EUR
33+5.15 EUR
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STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics cd0007303.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1592 Stücke:
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19+9.62 EUR
33+5.21 EUR
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STP8NK100Z STP8NK100Z STMICROELECTRONICS SGSTS32934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.61 EUR
37+6.28 EUR
100+5.33 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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STP8NK100Z STP8NK100Z STMicroelectronics en.CD00073035.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 589 Stücke:
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2+11.85 EUR
50+6.27 EUR
100+5.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP8NK100Z ST en.CD00073035.pdf N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MOSFETs N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
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1+7.81 EUR
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100+5.15 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 589 Stücke:
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Hersteller: ST
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
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