STP9N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 1.23 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
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Technische Details STP9N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STP9N60M2 nach Preis ab 1.87 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STP9N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
auf Bestellung 447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP9N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 92+ | 2.73 EUR |
| 102+ | 2.27 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |