STP9NK50Z STMicroelectronics
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Technische Details STP9NK50Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP9NK50Z nach Preis ab 0.56 EUR bis 5.53 EUR
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.2A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Version: ESD Technology: SuperMesh™ Gate-source voltage: ±30V |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
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STP9NK50Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| STP9NK50Z | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP9NK50Z TSTP9NK50Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP9NK50Z Produktcode: 888
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 07.02.2015 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 910/32 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
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