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STP9NK50Z

en.CD00002970.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C; STP9NK50Z TSTP9NK50Z
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Technische Details STP9NK50Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.

Weitere Produktangebote STP9NK50Z nach Preis ab 0.96 EUR bis 6.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.cd00002970.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.36 EUR
130+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.cd00002970.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.38 EUR
126+1.32 EUR
131+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.cd00002970.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.14 EUR
2000+1.96 EUR
5000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.cd00002970.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.14 EUR
2000+1.93 EUR
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics STP9NK50Z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.15 EUR
34+2.55 EUR
37+2.33 EUR
41+2.07 EUR
50+1.94 EUR
100+1.81 EUR
200+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.CD00002970.pdf description MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
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1+4.66 EUR
10+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.07 EUR
5000+2.05 EUR
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003615464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
84+2.78 EUR
100+2.42 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP9NK50Z STP9NK50Z STMicroelectronics en.CD00002970.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
50+3.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP9NK50Z description en.cd00002970.pdf
STP9NK50Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
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Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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